1N1190
600V|35A
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DIODE GEN PURP 600V 35A DO5
规格参数
- 品牌
- GeneSiC Semiconductor
- 封装
- DO-203AB, DO-5, Stud
- 包装方式
- —
库存总量
280个
12小时发货
起订量：1 个
认证与授权
产品视频
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技术规格
| Manufacturer | GeneSiC Semiconductor | |
| Series | - | |
| Diode Type | Standard | |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V | |
| Current - Average Rectified (Io) | 35A | |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 35A | |
| Speed | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | |
| Reverse Recovery Time (trr) | - | |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 10µA @ 50V | |
| Capacitance @ Vr, F | - | |
| Mounting Type | Chassis, Stud Mount | |
| Package / Case | DO-203AB, DO-5, Stud | |
| Supplier Device Package | DO-5 | |
| Operating Temperature - Junction | -65°C ~ 190°C |
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数据手册与文档
1n1189r.pdf
PDF文档 · 3 pages
