| 零件编号 | SIR882DP-T1-GE3 |
|---|---|
| 制造商 | Vishay Siliconix |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8 |
| 数据表 | |
| 封装 | PowerPAK? SO-8 |
| ECAD |
|
| 库存 | 114,066 piece(s) |
| 单价 | Request a Quote |
| 交货时间 | 待确认 |
| 预计送达时间 | 五月 26 - 五月 31 (选择速递服务) |
| 请求报价 |
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| 支付方式 | |
| 送货服务 |
| 制造商 | Vishay Siliconix |
| 类别 | 分立半导体产品 - 晶体管 - FET，MOSFET - 单 |
| 封装 | PowerPAK? SO-8 |
| ECAD |
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| 系列 | TrenchFET? |
| FET类型 | N-Channel |
| 技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 漏极到源极电压（Vdss） | 100V |
| 电流 - 连续漏极（Id）@ 25°C | 60A (Tc) |
| 驱动电压（Max Rds On，Min Rds On） | 4.5V, 10V |
| Vgs（th）（Max）@Id | 2.8V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）（最大值）@Vgs | 58nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）（最大值）@ Vds | 1930pF @ 50V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| FET功能 | - |
| 功耗（最大值） | 5.4W (Ta), 83W (Tc) |
| Rds On（Max）@ Id，Vgs | 8.7 mOhm @ 20A, 10V |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 供应商设备包 | PowerPAK? SO-8 |
| 包/箱 | PowerPAK? SO-8 |
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| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
SIR882DP-T1-GE3 D# V72:2272_09216058 |
Vishay Intertechnologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 17.6A 8-Pin PowerPAK SO T/R |
0 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
SIR882DP-T1-GE3 D# SIR882DP-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 17.6A 8-Pin PowerPAK SO T/R - Tape and Reel (Alt: SIR882DP-T1-GE3) RoHS: Compliant
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0 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
SIR882DP-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
MOSFET,N CH,DIODE,100V,60A,PPAKSO8 |
1469 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
SIR882DP-T1-GE3 D# SIR882DP-T1-GE3CT-ND |
Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8 |
1196 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
SIR882DP-T1-GE3 D# 1859000RL |
Vishay Intertechnologies |
MOSFET,N CH,DIODE,100V,60A,PPAKSO8 RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Reel
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0 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
SIR882DP-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
RoHS: Compliant
pbFree: Yes
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0 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
SIR882DPT1GE3 |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
5950 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
SIR882DP-T1-GE3 D# 78-SIR882DP-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
MOSFET 100 Volts 60 Amps 83 Watts RoHS: Compliant
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13625 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
SIR882DP-T1-GE3 D# 94T2661 |
Vishay Intertechnologies |
MOSFET, N CH, 100V, 60A, POWERPAK SO-8, Transistor Polarity:N Channel, Drain Source Voltage Vds:100V, Continuous Drain Current Id:60A, On Resistance Rds(on):0.0071ohm, Transistor Mounting:Surface Mount, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V RoHS Compliant: Yes RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: Cut Tape
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0 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
SIR882DP-T1-GE3 D# NS-SIR882DP-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
OEM/CM ONLY |
21017 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
SIR882DP-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 60A I(D), 100V, 0.0087OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET |
32 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
SIR882DPT1GE3 |
Vishay Intertechnologies |
OEM/CM ONLY |
3108 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
SIR882DP-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
MOSFET 100 Volts 60 Amps 83 Watts pbFree: Pb-Free
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0 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
SIR882DP-T1-GE3 D# 45527400 |
Vishay Intertechnologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 17.6A 8-Pin PowerPAK SO T/R |
0 |
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