| 零件编号 | SI9926BDY-T1-GE3 |
|---|---|
| 制造商 | Vishay Siliconix |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 20V 6.2A 8-SOIC |
| 数据表 | |
| 封装 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| ECAD |
|
| 库存 | 3,600 piece(s) |
| 单价 | Request a Quote |
| 交货时间 | 待确认 |
| 预计送达时间 | 十一月 30 - 十二月 5 (选择速递服务) |
| 请求报价 |
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| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
SI9926BDY-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
MOSFET 2N-CH 20V 6.2A 8-SOIC |
0 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
SI9926BDY-T1-GE3 D# SI9926BDY-T1-GE3-ND |
Vishay Siliconix |
MOSFET 2N-CH 20V 6.2A 8-SOIC |
0 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
SI9926BDY-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
OEM/CM Immediate delivery |
76325 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
SI9926BDY-T1-GE3 D# 26R1950 |
Vishay Intertechnologies |
DUAL N CHANNEL MOSFET, 20V, 6.2A, Transistor Polarity:N Channel, Drain Source Voltage Vds:20V, Continuous Drain Current Id:6.2A, On Resistance Rds(on):0.02ohm, Transistor Mounting:Surface Mount, Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V RoHS Compliant: Yes RoHS: Compliant
Min Qty: 2500
Container: Cut Tape
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0 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
SI9926BDY-T1-GE3 D# NS-SI9926BDY-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
OEM/CM ONLY |
6627 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
SI9926BDY-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
IN stock Immediate delivery |
76310 |
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+86-0755-83210559

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