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SI7159DP-T1-GE3

hot SI7159DP-T1-GE3

SI7159DP-T1-GE3

仅供参考

零件编号 SI7159DP-T1-GE3
Heisener # H299-SI7159DP-T1-GE3
制造商 Vishay Siliconix
描述 MOSFET P-CH 30V 30A PPAK SO-8
数据表 SI7159DP-T1-GE3 数据表
封装 PowerPAK? SO-8
库存 260
配额限制 无限制
交货时间 可立即发货
预计送达时间 十一月 16 - 十一月 21 (选择速递服务)

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SI7159DP-T1-GE3 参数

制造商Vishay Siliconix
类别分立半导体产品 - 晶体管 - FET,MOSFET - 单
数据表 SI7159DP-T1-GE3 数据表
封装PowerPAK? SO-8
系列TrenchFET?
FET类型P-Channel
技术MOSFET (Metal Oxide)
漏极到源极电压(Vdss)30V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25°C30A (Tc)
驱动电压(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Vgs(th)(Max)@Id2.5V @ 250µA
栅极电荷(Qg)(最大值)@Vgs180nC @ 10V
Vgs(最大)±25V
输入电容(Ciss)(最大值)@ Vds5170pF @ 15V
功耗(最大值)5.4W (Ta), 83W (Tc)
Rds On(Max)@ Id,Vgs7 mOhm @ 15A, 10V
工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型Surface Mount
供应商设备包PowerPAK® SO-8
包/箱PowerPAK® SO-8

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零件编号 制造商 描述 封装
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