| 零件编号 | SI4825DY-T1-GE3 |
|---|---|
| 制造商 | Vishay Siliconix |
| 描述 | MOSFET P-CH 30V 8.1A 8-SOIC |
| 数据表 | |
| 封装 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| ECAD |
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| 库存 | 11,148 piece(s) |
| 单价 | Request a Quote |
| 交货时间 | 可立即发货 |
| 预计送达时间 | 五月 19 - 五月 24 (选择速递服务) |
| 请求报价 |
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| 支付方式 | |
| 送货服务 |
| 制造商 | Vishay Siliconix |
| 类别 | 分立半导体产品 - 晶体管 - FET，MOSFET - 单 |
| 封装 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| ECAD |
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| 系列 | TrenchFET? |
| FET类型 | P-Channel |
| 技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 漏极到源极电压（Vdss） | 30V |
| 电流 - 连续漏极（Id）@ 25°C | 8.1A (Ta) |
| 驱动电压（Max Rds On，Min Rds On） | 4.5V, 10V |
| Vgs（th）（Max）@Id | 3V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）（最大值）@Vgs | 71nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）（最大值）@ Vds | - |
| Vgs（最大） | ±25V |
| FET功能 | - |
| 功耗（最大值） | 1.5W (Ta) |
| Rds On（Max）@ Id，Vgs | 14 mOhm @ 11.5A, 10V |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 供应商设备包 | 8-SO |
| 包/箱 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
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| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
SI4825DY-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
MOSFET P-CH 30V 8.1A 8-SOIC |
0 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
SI4825DY-T1-GE3 D# SI4825DY-T1-GE3TR-ND |
Vishay Siliconix |
MOSFET P-CH 30V 8.1A 8SO |
0 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
SI4825DY-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
In stock shipping within 2days |
411 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
SI4825DY-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
OEM/CM Immediate delivery |
76325 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
SI4825DY-T1-GE3 D# NS-SI4825DY-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
OEM/CM ONLY |
4552 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
SI4825DY-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
IN stock Immediate delivery |
76310 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
SI4825DY-T1-GE3 |
Vishay Huntington |
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311 |
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