| 零件编号 | SI3447CDV-T1-GE3 |
|---|---|
| 制造商 | Vishay Siliconix |
| 描述 | MOSFET P-CH 12V 7.8A 6-TSOP |
| 数据表 | |
| 封装 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| ECAD |
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| 库存 | 815,352 piece(s) |
| 单价 | Request a Quote |
| 交货时间 | 可立即发货 |
| 预计送达时间 | 五月 7 - 五月 12 (选择速递服务) |
| 请求报价 |
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| 支付方式 | |
| 送货服务 |
| 制造商 | Vishay Siliconix |
| 类别 | 分立半导体产品 - 晶体管 - FET，MOSFET - 单 |
| 封装 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| ECAD |
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| 系列 | TrenchFET? |
| FET类型 | P-Channel |
| 技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 漏极到源极电压（Vdss） | 12V |
| 电流 - 连续漏极（Id）@ 25°C | 7.8A (Tc) |
| 驱动电压（Max Rds On，Min Rds On） | 1.8V, 4.5V |
| Vgs（th）（Max）@Id | 1V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）（最大值）@Vgs | 30nC @ 8V |
| 输入电容（Ciss）（最大值）@ Vds | 910pF @ 6V |
| Vgs（最大） | ±8V |
| FET功能 | - |
| 功耗（最大值） | 2W (Ta), 3W (Tc) |
| Rds On（Max）@ Id，Vgs | 36 mOhm @ 6.3A, 4.5V |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 供应商设备包 | 6-TSOP |
| 包/箱 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
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| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
SI3447CDV-T1-GE3 |
Vishay Semiconductors |
VISSI3447CDV-T1-GE3 P-CHANNEL 12-V (D-S) |
0 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
SI3447CDVT1GE3 |
Vishay Intertechnologies |
Small Signal Field-Effect Transistor, 7.8A I(D), 12V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET RoHS: Compliant
|
0 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
SI3447CDV-T1-GE3 D# SI3447CDV-T1-GE3TR-ND |
Vishay Siliconix |
MOSFET P-CH 12V 7.8A 6TSOP |
0 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
SI3447CDVT1GE3 |
Vishay Intertechnologies |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
3570 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
SI3447CDV-T1-GE3 D# NS-SI3447CDV-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
OEM/CM ONLY |
3098 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
SI3447CDVT1GE3 |
Vishay Intertechnologies |
OEM/CM ONLY |
3016 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
SI3447CDV-T1-GE3 |
Vishay Huntington |
shipping today |
6399 |
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