| 零件编号 | SI2303BDS-T1-GE3 |
|---|---|
| 制造商 | Vishay Siliconix |
| 描述 | MOSFET P-CH 30V 1.49A SOT23-3 |
| 数据表 | |
| 封装 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| ECAD |
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| 库存 | 463,392 piece(s) |
| 单价 | Request a Quote |
| 交货时间 | 可立即发货 |
| 预计送达时间 | 六月 1 - 六月 6 (选择速递服务) |
| 请求报价 |
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| 支付方式 | |
| 送货服务 |
| 制造商 | Vishay Siliconix |
| 类别 | 分立半导体产品 - 晶体管 - FET，MOSFET - 单 |
| 封装 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| ECAD |
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| 系列 | - |
| FET类型 | P-Channel |
| 技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 漏极到源极电压（Vdss） | 30V |
| 电流 - 连续漏极（Id）@ 25°C | 1.49A (Ta) |
| 驱动电压（Max Rds On，Min Rds On） | 4.5V, 10V |
| Vgs（th）（Max）@Id | 3V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）（最大值）@Vgs | 10nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）（最大值）@ Vds | 180pF @ 15V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| FET功能 | - |
| 功耗（最大值） | 700mW (Ta) |
| Rds On（Max）@ Id，Vgs | 200 mOhm @ 1.7A, 10V |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 供应商设备包 | SOT-23-3 (TO-236) |
| 包/箱 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
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| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
SI2303BDS-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
P CH MOSFET, -30, -1.49A, SOT-23 |
0 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
SI2303BDS-T1-GE3 D# SI2303BDS-T1-GE3-ND |
Vishay Siliconix |
MOSFET P-CH 30V 1.49A SOT23-3 |
0 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
SI2303BDST1GE3 |
Vishay Intertechnology, I |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
3400 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
SI2303BDS-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
SOT-23/SI2303BDS-T1-GE3/Vishay Siliconix RoHS: Compliant
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2470 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
SI2303BDS-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
OEM/CM Immediate delivery |
180000 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
SI2303BDS-T1-GE3 D# NS-SI2303BDS-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
OEM/CM ONLY |
7562 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
SI2303BDST1GE3 |
Vishay Intertechnologies |
OEM/CM ONLY |
26344 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
SI2303BDS-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
IN stock Immediate delivery |
179985 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
SI2303BDS-T1-GE3 |
Vishay Huntington |
shipping today |
60003 |
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