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SI1563EDH-T1-GE3

hot SI1563EDH-T1-GE3

SI1563EDH-T1-GE3

仅供参考

零件编号 SI1563EDH-T1-GE3
Heisener # H297-SI1563EDH-T1-GE3
制造商 Vishay Siliconix
描述 MOSFET N/P-CH 20V 1.13A SC70-6
数据表 SI1563EDH-T1-GE3 数据表
封装 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
库存 108862
配额限制 无限制
交货时间 可立即发货
预计送达时间 十一月 17 - 十一月 22 (选择速递服务)

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SI1563EDH-T1-GE3 参数

制造商Vishay Siliconix
类别分立半导体产品 - 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
数据表 SI1563EDH-T1-GE3 数据表
封装6-TSSOP, SC-88, SOT-363
系列TrenchFET?
FET类型N and P-Channel
FET功能Logic Level Gate
漏极到源极电压(Vdss)20V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25°C1.13A, 880mA
Rds On(Max)@ Id,Vgs280 mOhm @ 1.13A, 4.5V
Vgs(th)(Max)@Id1V @ 100µA
栅极电荷(Qg)(最大值)@Vgs1nC @ 4.5V
力量 - 最大570mW
工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型Surface Mount
包/箱6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供应商设备包SC-70-6 (SOT-363)

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SI1563EDH-T1-GE3 可用于