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IPB072N15N3 G

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IPB072N15N3 G

仅供参考

零件编号 IPB072N15N3 G
Heisener # H299-IPB072N15N3 G
制造商 Infineon Technologies
描述 MOSFET N-CH 150V 100A TO263-3
数据表 IPB072N15N3 G 数据表
封装 TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
库存 20034
配额限制 无限制
交货时间 可立即发货
预计送达时间 十一月 18 - 十一月 23 (选择速递服务)

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IPB072N15N3 G 参数

制造商Infineon Technologies
类别分立半导体产品 - 晶体管 - FET,MOSFET - 单
数据表 IPB072N15N3 G 数据表
封装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
系列OptiMOS?
FET类型N-Channel
技术MOSFET (Metal Oxide)
漏极到源极电压(Vdss)150V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25��C100A (Tc)
驱动电压(Max Rds On,Min Rds On)8V, 10V
Vgs(th)(Max)@Id4V @ 270µA
栅极电荷(Qg)(最大值)@Vgs93nC @ 10V
输入电容(Ciss)(最大值)@ Vds5470pF @ 75V
Vgs(最大)��20V
功耗(最大值)300W (Tc)
Rds On(Max)@ Id,Vgs7.2 mOhm @ 100A, 10V
工作温度-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型Surface Mount
供应商设备包PG-TO263-3-2
包/箱TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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零件编号 制造商 描述 封装
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IPB072N15N3 G 可用于