0
+86-755-82529637 ext. 811
TOP
联系我们
SalesDept@heisener.com +86-755-82529637 ext. 811
Language Translation
  • • English
  • • Español
  • • Deutsch
  • • Français
  • • Italiano
  • • Nederlands
  • • Português
  • • русский язык
  • • 日本語
  • • 한국어
  • • 简体中文
  • • 繁體中文

* Please refer to the English Version as our Official Version.

更改地区

如果您所在的国家没有列出,请选择国际作为您的区域。

  • 国际
美洲
  • 阿根廷
  • 巴西
  • 加拿大
  • 智利
  • 哥伦比亚
  • 哥斯达黎加
  • 多米尼加共和国
  • 厄瓜多尔
  • 瓜地马拉
  • 洪都拉斯
  • 墨西哥
  • 秘鲁
  • 波多黎各
  • 美国
  • 乌拉圭
  • 委内瑞拉
亚太
  • 澳大利亚
  • 中国
  • 香港
  • 印度尼西亚
  • 以色列
  • 印度
  • 日本
  • 韩国
  • 马来西亚
  • 新西兰
  • 菲律宾
  • 新加坡
  • 泰国
  • 台湾
  • 越南
欧洲
  • 奥地利
  • 比利时
  • 保加利亚
  • 瑞士
  • 捷克共和国
  • 德国
  • 丹麦
  • 爱沙尼亚
  • 西班牙
  • 芬兰
  • 法国
  • 英国
  • 希腊
  • 克罗地亚
  • 匈牙利
  • 爱尔兰
  • 意大利
  • 荷兰
  • 挪威
  • 波兰
  • 葡萄牙
  • 罗马尼亚
  • 俄罗斯联邦
  • 瑞典
  • 斯洛伐克
  • 土耳其

DMG6402LDM-7

hot DMG6402LDM-7

DMG6402LDM-7

仅供参考

零件编号 DMG6402LDM-7
Heisener # H299-DMG6402LDM-7
制造商 Diodes Incorporated
描述 MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT26
数据表 DMG6402LDM-7 数据表
封装 SOT-23-6
库存 6000
配额限制 无限制
交货时间 可立即发货
预计送达时间 十一月 18 - 十一月 23 (选择速递服务)

请求报价

DMG6402LDM-7

数量
支付方式
送货服务

您有关于 DMG6402LDM-7 的问题吗?

+86-755-82529637 ext. 811 SalesDept@heisener.com heisener007 2354944915 发送信息

DMG6402LDM-7 参数

制造商Diodes Incorporated
类别分立半导体产品 - 晶体管 - FET,MOSFET - 单
数据表 DMG6402LDM-7 数据表
封装SOT-23-6
系列-
FET类型N-Channel
技术MOSFET (Metal Oxide)
漏极到源极电压(Vdss)30V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25°C5.3A (Ta)
驱动电压(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Vgs(th)(Max)@Id2V @ 250µA
栅极电荷(Qg)(最大值)@Vgs9.2nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
输入电容(Ciss)(最大值)@ Vds404pF @ 15V
功耗(最大值)1.12W (Ta)
Rds On(Max)@ Id,Vgs27 mOhm @ 7A, 10V
工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型Surface Mount
供应商设备包SOT-26
包/箱SOT-23-6

DMG6402LDM-7 相关产品

零件编号 制造商 描述 封装
hotDMG6402LDM-7 PXF620012 Diodes Incorporated OSCILLATOR XO 156.25MHZ LVDS SMD 6-SMD, No Lead
hotDMG6402LDM-7 DMG6968LSD-13 Diodes Incorporated MOSFET N-CH 20V 6.5A 8-SOP -
hotDMG6402LDM-7 DMG6968UQ-7 Diodes Incorporated MOSFET N-CH 20V 6.5A SOT23 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
hotDMG6402LDM-7 DMG6402LVT-7 Diodes Incorporated MOSFET N-CH 30V 6A TSOT26 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
hotDMG6402LDM-7 DMG6968U-7 Diodes Incorporated MOSFET N-CH 20V 6.5A SOT-23 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
hotDMG6402LDM-7 DMG6968UTS-13 Diodes Incorporated MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8TSSOP 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
hotDMG6402LDM-7 DMG6301UDW-13 Diodes Incorporated MOSFET 2N-CH 25V 0.24A SOT363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
hotDMG6402LDM-7 DMG6898LSD-13 Diodes Incorporated MOSFET 2N-CH 20V 9.5A 8SO 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
hotDMG6402LDM-7 DMG6601LVT-7 Diodes Incorporated MOSFET N/P-CH 30V 26TSOT SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
hotDMG6402LDM-7 DMG6898LSDQ-13 Diodes Incorporated MOSFET 2N-CH 20V 9.5A 8SO 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
hotDMG6402LDM-7 DMG6301UDW-7 Diodes Incorporated MOSFET 2N-CH 25V 0.24A SOT363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
hotDMG6402LDM-7 DMG6968UDM-7 Diodes Incorporated MOSFET 2N-CH 20V 6.5A SOT-26 SOT-23-6
hotDMG6402LDM-7 DMG6602SVT-7 Diodes Incorporated MOSFET N/P-CH 30V TSOT23-6 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
hotDMG6402LDM-7 DDZ9694-7 Diodes Incorporated DIODE ZENER 8.2V 500MW SOD123 SOD-123
hotDMG6402LDM-7 PI74FCT241ATQ Diodes Incorporated IC BUFF/DVR DUAL N-INV 20QSOP 20-SSOP (0.154", 3.90mm Width)
hotDMG6402LDM-7 74LVC1G07FS3-7 Diodes Incorporated IC BUFF NON-INV SGL DFN0808-4 4-XFDFN Exposed Pad
hotDMG6402LDM-7 PI7C7300ANAE Diodes Incorporated IC PCI-PCI BRIDGE 3PORT 272-BGA 272-BBGA
hotDMG6402LDM-7 PI2EQX502EZHEX Diodes Incorporated IC REDRIVER USB 3.0 16TQFN 16-WFQFN Exposed Pad

DMG6402LDM-7 可用于