| 零件编号 | BUZ32 E3045A |
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| 制造商 | Infineon Technologies |
| 描述 | MOSFET N-CH 200V 9.5A D2PAK |
| 数据表 | |
| 封装 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| ECAD |
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| 库存 | 4,656 piece(s) |
| 单价 | Request a Quote |
| 交货时间 | 待确认 |
| 预计送达时间 | 五月 6 - 五月 11 (选择速递服务) |
| 请求报价 |
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| 支付方式 | |
| 送货服务 |
| 制造商 | Infineon Technologies |
| 类别 | 分立半导体产品 - 晶体管 - FET，MOSFET - 单 |
| 封装 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| ECAD |
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| 系列 | SIPMOS? |
| FET类型 | N-Channel |
| 技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 漏极到源极电压（Vdss） | 200V |
| 电流 - 连续漏极（Id）@ 25°C | 9.5A (Tc) |
| 驱动电压（Max Rds On，Min Rds On） | 10V |
| Vgs（th）（Max）@Id | 4V @ 1mA |
| 栅极电荷（Qg）（最大值）@Vgs | - |
| 输入电容（Ciss）（最大值）@ Vds | 530pF @ 25V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| FET功能 | - |
| 功耗（最大值） | 75W (Tc) |
| Rds On（Max）@ Id，Vgs | 400 mOhm @ 6A, 10V |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 供应商设备包 | D2PAK |
| 包/箱 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
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| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
BUZ32 E3045A |
Infineon Technologies AG |
MOSFET N-CH 200V 9.5A D2PAK |
0 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
BUZ32E3045A |
Infineon Technologies AG |
RoHS: Not Compliant
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0 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
BUZ32 E3045A D# BUZ32E3045A-ND |
Infineon Technologies AG |
MOSFET N-CH 200V 9.5A D2PAK |
0 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
BUZ32E3045A |
Infineon Technologies AG |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
537 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
BUZ32 E3045A D# NS-BUZ32 E3045A |
Infineon Technologies AG |
OEM/CM ONLY |
8663 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
BUZ32E3045A |
Infineon Technologies AG |
OEM/CM ONLY |
483 |
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