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BSZ035N03MS G

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仅供参考

零件编号 BSZ035N03MS G
Heisener # H299-BSZ035N03MS G
制造商 Infineon Technologies
描述 MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8
数据表 BSZ035N03MS G 数据表
封装 8-PowerTDFN
库存 27436
配额限制 无限制
交货时间 可立即发货
预计送达时间 十一月 16 - 十一月 21 (选择速递服务)

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BSZ035N03MS G 参数

制造商Infineon Technologies
类别分立半导体产品 - 晶体管 - FET,MOSFET - 单
数据表 BSZ035N03MS G 数据表
封装8-PowerTDFN
系列OptiMOS?
FET类型N-Channel
技术MOSFET (Metal Oxide)
漏极到源极电压(Vdss)30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25��C18A (Ta), 40A (Tc)
驱动电压(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Vgs(th)(Max)@Id2V @ 250µA
栅极电荷(Qg)(最大值)@Vgs74nC @ 10V
输入电容(Ciss)(最大值)@ Vds5700pF @ 15V
Vgs(最大)��20V
功耗(最大值)2.1W (Ta), 69W (Tc)
Rds On(Max)@ Id,Vgs3.5 mOhm @ 20A, 10V
工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型Surface Mount
供应商设备包PG-TSDSON-8
包/箱8-PowerTDFN

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零件编号 制造商 描述 封装
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BSZ035N03MS G 可用于